SILICON POWER DDR4 4Go 2666MHz CL19
43,63 €
TTC
36,36 € HT
Dont 0,04 € d'éco-participation
SILICON POWER - DDR4 - module - 4 Go - SO DIMM 260 broches - 2666 MT/s / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - m?moire sans tampon - non ECC
SILICON POWER DDR4 4Go 2666MHz CL19 SO-DIMM 1.2V
Fabricant SILICON POWER COMPUTER & COMMUNICAT
N° d'article de fabricant SP004GBSFU266X02
Description de produit
Conçue pour aider votre système à fonctionner plus rapidement et plus
facilement, cette série DDR4 UDIMM offre une vitesse très rapide allant
jusqu'aux 3200 MT/s. De plus, la technologie DDR4 est jusqu'à deux fois
plus rapide que son prédécesseur, la DDR3, offrant plus de bande
passante et une meilleure efficacité énergétique. Une simple mise à
niveau permet d'accélérer le temps de chargement des applications,
d'augmenter la réactivité et de gérer facilement les programmes à forte
densité de données.
Caractéristique de produit
* Conforme aux normes JEDEC
* Basse tension de 1,2 V pour une consommation d'énergie modérée
* Stabilité, durabilité et compatibilité testées à 100%
* Compatibilité vérifiée à 100 % sur les principales cartes mères
supportant le DDR4
Propriétés de produit
Description du produit SILICON POWER - DDR4 - module - 4 Go - SO DIMM
260 broches / PC4-21300 - mémoire sans tampon
Type de Produit Module mémoire
Capacité 4 Go
Type de mémoire DDR4 SDRAM - SO DIMM 260 broches
Type de mise à niveau Générique
Vérification de l'Intégrité des Données Non ECC
Vitesse 2666 MT/s (PC4-21300)
Temps de latence CL19
Caractéristiques Mémoire sans tampon
Tension 1.2 V
Garantie du fabricant Garantie limitée à vie
SP004GBSFU266X02
SILICON POWER DDR4 4Go 2666MHz CL19 SO-DIMM 1.2V
Fabricant SILICON POWER COMPUTER & COMMUNICAT
N° d'article de fabricant SP004GBSFU266X02
Description de produit
Conçue pour aider votre système à fonctionner plus rapidement et plus
facilement, cette série DDR4 UDIMM offre une vitesse très rapide allant
jusqu'aux 3200 MT/s. De plus, la technologie DDR4 est jusqu'à deux fois
plus rapide que son prédécesseur, la DDR3, offrant plus de bande
passante et une meilleure efficacité énergétique. Une simple mise à
niveau permet d'accélérer le temps de chargement des applications,
d'augmenter la réactivité et de gérer facilement les programmes à forte
densité de données.
Caractéristique de produit
* Conforme aux normes JEDEC
* Basse tension de 1,2 V pour une consommation d'énergie modérée
* Stabilité, durabilité et compatibilité testées à 100%
* Compatibilité vérifiée à 100 % sur les principales cartes mères
supportant le DDR4
Propriétés de produit
Description du produit SILICON POWER - DDR4 - module - 4 Go - SO DIMM
260 broches / PC4-21300 - mémoire sans tampon
Type de Produit Module mémoire
Capacité 4 Go
Type de mémoire DDR4 SDRAM - SO DIMM 260 broches
Type de mise à niveau Générique
Vérification de l'Intégrité des Données Non ECC
Vitesse 2666 MT/s (PC4-21300)
Temps de latence CL19
Caractéristiques Mémoire sans tampon
Tension 1.2 V
Garantie du fabricant Garantie limitée à vie
SP004GBSFU266X02
SP004GBSFU266X02
2026-09-29
Fiche technique
- Marque
- SILICON POWER COMPUTER & COMMUNICAT
- Famille
- Mémoires
- Sous-famille
- Mémoires de l?ordinateur portable
- Poids
- 0.02 Kg
- Longueur
- 17.50 cm
- Largeur
- 6.50 cm
- Hauteur
- 1.00 cm
Références spécifiques
- EAN-13
- 4713436143932
- MPN
- 4164672
Categories
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